High quality boron-doped epitaxial layers grown at 200 degrees C from SiF4/H-2/Ar gas mixtures for emitter formation in crystalline silicon solar cells

Titre

BSO - Titre

High quality boron-doped epitaxial layers grown at 200°C from SiF4/H2/Ar gas mixtures for emitter formation in crystalline silicon solar cells

DOI

DOI10.1063/1.4976685

DOAI

DOAI10.1063/1.4976685

Identifiant WoS

WOS:000395898800006

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Type d'accès

Editeur

AIP Publishing

Source

AIP ADVANCES

ISSN

2158-3226

Type de document

Article

Notoriété

2 - Acceptable

CNRS

Oui

CNRS - Institut

INSIS - Institut des sciences de l'ingénierie et des systèmes

uid:/BN8R43FB

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